以有機金屬化學氣相沉積法成長磷化銦鎵太陽 電池於矽基板之研究

出處 核研所 作者 黃文祥, 侯杰利, 魏子傑, 吳志宏, 洪慧芬 年份 2017
報告類型 核研所報告 分類 新/再生能源 |太陽能發電 資料時間 2017年12月

    本研究係以有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)成長磷化銦鎵(GaInP)單接面太陽電池於矽基板,並採用兩階段成長法及熱循環退火技術(TCA),成長砷化鎵(GaAs)緩衝層於矽基板上減少磊晶薄膜缺陷。利用光激發螢光光譜儀量(PL)雙晶X 光繞射儀(DCXRD),可分別獲得GaInP 主動層螢光波峰為665.1 nm、Eg~1.86 eV、半高寬約為20.6 nm,GaAs 緩衝層半高寬157 arcsec,且半高寬度與TCA 次數呈正相關。實驗結果得知GaInP 單接面太陽電池不具抗反射層(anti-reflection coating)條件下,主要吸收光譜的範圍從350 nm 至700 nm,外部量子效率約45 %;其開路電壓(Voc)、填充因子(F.F)約為成長於砷化鎵基板參考片之80%,轉換效率為7.2 %。

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