於矽基板上以蒸鍍法成長鍺薄膜之特性研究

出處 核研所 作者 曾評偉, 江仁詳, 王昱明, 吳志宏 年份 2017
報告類型 核研所報告 分類 新/再生能源 |太陽能發電 資料時間 2017年12月

    為了在矽基板上製作高效能的III-V 族光電元件,於矽基板及III-V 磊晶層間製備緩衝層是必須的,而將高品質鍺薄膜成長於矽基板上即為一可行的方法。在本研究中,我們首先於(111)及(100)的負型矽基板上,以電子槍蒸鍍法成長鍺薄膜,並以X 射線繞射分析比較其特性,發現使用(111)的矽基板可得到較佳的鍺薄膜;其次我們於(111)基板上蒸鍍鍺膜膜,並比較不同蒸鍍溫度(225℃至275℃)對鍺薄膜的影響,發現於275℃時可得較佳的鍺薄膜;最後我們於(111)的矽基板上,以275℃溫度蒸鍍不同厚度(600nm至1000nm)的鍺薄膜,發現鍺厚度在1000nm 時可得最佳的鍺薄膜。

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